| 专利名称 | 具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚 | 申请号 | CN201210050830.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103290476A | 公开（授权）日 | 2013.09.11 | 申请（专利权）人 | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 忻隽;孔海宽;严成峰;刘熙;肖兵;杨建华;施尔畏 | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I | 专利有效期 | 具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚 至具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种用于物理气相输运技术生长碳化硅单晶的坩埚结构，具体涉及具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚。本发明中坩埚的料腔结构采用多生长区统一料腔设计。本发明具有以下特点：采用多生长区、统一料腔设计。在本发明中，同一生长周期可以同时生长多个碳化硅单晶体。采用本发明的坩埚设计来生长碳化硅单晶，可以有效提高生长效率、节约生长时间、压缩晶体成本。与传统方法相比较，同样的设备配置前提下，将单晶生长效率提高2～3倍。 |
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