| 专利名称 | 2T纳米晶存储器阵列及其操作方法 | 申请号 | CN201210048730.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103295633A | 公开（授权）日 | 2013.09.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王琴;杨潇楠;王永;张满红;霍宗亮;刘明 | 主分类号 | G11C16/06(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C16/06(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 专利有效期 | 2T纳米晶存储器阵列及其操作方法 至2T纳米晶存储器阵列及其操作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种2T纳米晶存储器阵列及其操作方法。该阵列包括2T纳米晶存储器、位线、源线、字线、选择晶体管字线、中间线和衬底，其中2T纳米晶存储器包括存储单元和选择晶体管。整个存储器阵列的衬底连接在一起，位线也连接在一起。本发明可以实现CHE编程方式的数据写入，相对于FN隧穿编程方式具有更大的存储窗口以及更好的编程可靠性。并且，由于本发明采用独立的纳米晶存储数据，因此可以防止由于某一点漏电而影响到存储器阵列整体的数据，从而提高存储器阵列的数据保持的稳定性。 |
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