| 专利名称 | 一种功率MOSFET器件串联电感的测试电路 | 申请号 | CN201310219744.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103293390A | 公开（授权）日 | 2013.09.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 温景超;王立新 | 主分类号 | G01R27/26(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R27/26(2006.01)I | 专利有效期 | 一种功率MOSFET器件串联电感的测试电路 至一种功率MOSFET器件串联电感的测试电路 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种功率MOSFET器件串联电感的测试电路，属于半导体器件测试技术领域。所述测试电路包括脉冲发生器、相位显示器、LCR表、电阻和选通开关；脉冲发生器的信号端与栅极电连接；脉冲发生器的接地端通过串联电阻与选通开关的固定端电连接；选通开关的两个选择端分别与源极和漏极电连接；脉冲发生器的接地端接地；LCR表的一端与栅极电连接，另一端与选通开关的固定端电连接；相位显示器电流输入端与栅极电连接，电压输入端与选通开关的固定端电连接。本发明不仅可以为评估器件的性能提供重要参数指标，而且对于优化功率MOSFET器件设计、提高器件的开关特性都具有重大意义。 |
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