| 专利名称 | GdAl3(BO3)4晶体生长助熔剂及GdAl3(BO3)4晶体生长方法 | 申请号 | CN201210047054.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103290475A | 公开（授权）日 | 2013.09.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 岳银超;胡章贵;毛倩 | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B9/12(2006.01)I | 专利有效期 | GdAl3(BO3)4晶体生长助熔剂及GdAl3(BO3)4晶体生长方法 至GdAl3(BO3)4晶体生长助熔剂及GdAl3(BO3)4晶体生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种GdAl3(BO3)4晶体生长助溶剂及GdAl3(BO3)4晶体生长方法，本发明的GdAl3(BO3)4晶体生长助溶剂所述助熔剂为Al2O3-硼化物-锂化物-金属氟化物混合体系。通过本发明的GdAl3(BO3)4晶体生长助溶剂及GdAl3(BO3)4晶体生长方法可有效降低晶体生长温度，提高晶体生长过程中的晶体稳定性，并可提高晶体生长质量，获得大尺寸晶体。 |
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