| 专利名称 | 一种YAB晶体生长助熔剂及YAB晶体生长方法 | 申请号 | CN201210047053.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103290466A | 公开（授权）日 | 2013.09.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 胡章贵;岳银超;余雪松;毛倩;吴振雄 | 主分类号 | C30B9/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B9/12(2006.01)I;C30B29/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种YAB晶体生长助熔剂及YAB晶体生长方法 至一种YAB晶体生长助熔剂及YAB晶体生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种YAB晶体生长助溶剂及YAB晶体生长方法，本发明的YAB晶体生长助溶剂为Al2O3-硼化物-锂化物-金属氟化物混合体系；其中，Al2O3∶硼化物∶锂化物∶金属氟化物的摩尔比为(5～8)∶(2～4)∶(0.5～2)∶(0.5～1.5)；所述硼化物为B2O3或H3BO3；所述锂化物为Li2O或Li2CO3；所述金属氟化物包括一价金属氟化物和二价金属氟化物。通过本发明的YAB晶体生长助溶剂及YAB晶体生长方法可有效提高晶体生长过程中的晶体稳定性，获得大尺寸晶体。 |
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