| 专利名称 | 快速获得具有原子台阶表面的SiC晶片抛光方法 | 申请号 | CN201210050324.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103286672A | 公开（授权）日 | 2013.09.11 | 申请（专利权）人 | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄维;王乐星;庄击勇;陈辉;杨建华;施尔畏 | 主分类号 | B24B37/07(2012.01)I | IPC主分类号 | B24B37/07(2012.01)I | 专利有效期 | 快速获得具有原子台阶表面的SiC晶片抛光方法 至快速获得具有原子台阶表面的SiC晶片抛光方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种快速获得具有原子台阶表面的SiC晶片抛光方法。本发明在化学机械抛光阶段引入氧化剂，通过粗抛、精抛、化学机械抛光三个抛光工艺流程即可使被加工的SiC晶片获得具有原子台阶表面。该抛光工艺仅使用三个工艺，大大简化了SiC单晶的抛光流程，降低了成本；且每个工艺的工艺参数固定，这样利于抛光得到晶片加工质量的一致性和稳定性，提高了成品率；另外，整个工艺时长在10小时以内，较目前的主流工艺而言，大大缩短了抛光时间。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障