| 专利名称 | 一种有机改性二硫化钼纳米片层及其制备方法 | 申请号 | CN201310187544.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103275355A | 公开（授权）日 | 2013.09.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 胡源;周克清;桂宙 | 主分类号 | C08K9/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C08K9/04(2006.01)I;C08K9/02(2006.01)I;C08K3/30(2006.01)I;C08L25/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种有机改性二硫化钼纳米片层及其制备方法 至一种有机改性二硫化钼纳米片层及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种有机改性二硫化钼纳米片层的制备方法，其包括如下步骤：通过溶剂热法用插层剂对层状二硫化钼进行插层处理后离心、洗涤并干燥，得到插层二硫化钼；将插层二硫化钼水解，得到二硫化钼悬浮液；将有机改性剂加入二硫化钼悬浮液中，在25～90℃下反应3～10h，将得到的产物离心、洗涤并干燥，即获得有机改性二硫化钼纳米片层。本发明提供的有机改性二硫化钼纳米片层制备方法简单，成本低，制得的有机改性二硫化钼纳米片层的层间距大，能较好的分散在有机溶剂中且不易团聚，具有广阔的应用前景。 |
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