| 专利名称 | 长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器及其制备方法 | 申请号 | CN201310202050.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103280695A | 公开（授权）日 | 2013.09.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 曾徐路;董建荣;李奎龙;孙玉润;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉 | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | 长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器及其制备方法 至长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器，包括顺次连接的下限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层，其中，所述有源区采用GaNAsBi/GaAs多量子阱结构。本发明可降低激光器阈值电流，提高激光器增益，实现无制冷工作，适合面发射激光器等多类激光器，其生产成本低于InP基激光器，且该多量子阱激光器有源区不含Al，可降低生长工艺的难度，提高激光器的良率和寿命。 |
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