| 专利名称 | 一种具有隔离层的复合衬底及其制造方法 | 申请号 | CN201310201293.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103280425A | 公开（授权）日 | 2013.09.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈弘;贾海强;江洋;王文新;马紫光;王禄;李卫 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有隔离层的复合衬底及其制造方法 至一种具有隔离层的复合衬底及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种具有隔离层的复合衬底的制造方法，包括：在基底上形成具有露出该基底的开口的第一子隔离层；利用横向生长法在第一子隔离层和基底上形成半导体材料薄膜构成的种子层；选择性刻蚀种子层，留下第一子隔离层上的一部分种子层作为种子区；形成覆盖基底、第一子隔离层和种子区的第二子隔离层；在第二子隔离层中形成开口，该开口暴露出所述种子区的至少一部分；以所述种子区的至少一部分作为种子，利用横向生长法在第二子隔离层上生长出半导体层。 |
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