| 专利名称 | 电场驱动的磁性元件及磁性随机存储器 | 申请号 | CN201310204891.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103280234A | 公开（授权）日 | 2013.09.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 曾中明;方彬;张宝顺 | 主分类号 | G11C11/15(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/15(2006.01)I | 专利有效期 | 电场驱动的磁性元件及磁性随机存储器 至电场驱动的磁性元件及磁性随机存储器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种电场驱动的磁性元件及磁性随机存储器。该磁性元件包括底电极层，形成在底电极层上的第一磁性层，形成在第一磁性层上的非磁性隔离层，形成在非磁性隔离层上的第二磁性层和形成在第二磁性层上的保护层或顶电极层，第一或第二磁性层的厚度在设定临界厚度以下，以使第一或第二磁性层的磁化方向可通过施加在保护层或顶电极层和底电极层之间并垂直于磁性层的电场进行切换。该磁性随机存储器包含所述磁性元件。本发明的磁性元件利用电压或电场进行磁性自由层的磁化方向转换，从而实现数据的存储，排除了通过移动大量电子的必要性，因此将大大提高能效，同时存储密度也显著提高，而且由于不使用复杂铁电氧化物层和额外特殊设计，其结构亦非常简单。 |
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