| 专利名称 | 一种三结太阳电池及其制备方法 | 申请号 | CN201310166015.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103280483A | 公开（授权）日 | 2013.09.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 曾徐路;董建荣;李奎龙;孙玉润;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉 | 主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0693(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种三结太阳电池及其制备方法 至一种三结太阳电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种三结太阳电池及其制备方法，该电池包括依次连接的P型GaAs衬底、InGaAsN底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结、AlGaInP顶电池以及N型GaAs欧姆接触层，其中所述P型GaAs衬底上设有P型电极、所述N型GaAs欧姆接触层上设有N型电极。本发明提出的三结太阳电池及其制备方法解决了目前采用晶格异变、倒置生长等技术存在的材料消耗大、工艺难度大、成本较高的问题。 |
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