| 专利名称 | 一种工业化厚GEM制作方法 | 申请号 | CN201310182365.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103280387A | 公开（授权）日 | 2013.09.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院高能物理研究所;惠州市金百泽电路科技有限公司 | 发明（设计）人 | 吕军光;武守坤;谢宇广;俞伯祥;章爱武;陈裕韬;唐宏华 | 主分类号 | H01J9/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J9/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种工业化厚GEM制作方法 至一种工业化厚GEM制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种工业化厚GEM制作方法。本方法为：1)在厚GEM原板上制备定位联接孔；2)将步骤1)处理后的厚GEM原板覆上一层抗蚀层；3)将设计图像转移至步骤2)处理后的厚GEM原板上；4)在步骤3)处理后的厚GEM原板上制备厚GEM孔；5)对所有厚GEM孔制备绝缘环；6)去除厚GEM原板上的所述抗蚀层。对步骤6)处理后的厚GEM原板上镀一层金层可进一步提升性能。本发明实现低成本、短周期、大面积、高成品率的国产厚GEM的工业化全流水线批量生产；并且生产出来的厚GEM应具有增益高、增益稳定性好，能量分辨好，耐打火，可在氩基和氖基等多种混和气体。 |
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