| 专利名称 | 一种基于竖直石墨烯的场发射电极的图形化制备方法 | 申请号 | CN201310185311.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103280404A | 公开（授权）日 | 2013.09.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王浩敏;孙秋娟;谢红;谢晓明 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于竖直石墨烯的场发射电极的图形化制备方法 至一种基于竖直石墨烯的场发射电极的图形化制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于竖直石墨烯的场发射电极的图形化制备方法，以耐酸性不同的金属为过渡图形化掩模层，首先利用两步图形化技术，在非金属衬底表面将图形转移到光刻胶上，沉积金属并剥离，得到有图形化金属的衬底，再在留有金属图形的衬底上沉积竖直石墨烯材料，经过酸液腐蚀，去除反应活性较高的金属，以实现薄膜材料的图形化。本发明提供的图形化技术使用于各种非金属衬底尤其是绝缘衬底上二维晶体材料的器件加工工艺。 |
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