| 专利名称 | 一种消除InAs单晶表面电荷积累层的热处理方法 | 申请号 | CN201310148741.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103276451A | 公开（授权）日 | 2013.09.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 邓惠勇;郭建华;邱锋;张云;胡古今;俞国林;戴宁 | 主分类号 | C30B33/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B33/02(2006.01)I;C30B29/42(2006.01)I | 专利有效期 | 一种消除InAs单晶表面电荷积累层的热处理方法 至一种消除InAs单晶表面电荷积累层的热处理方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种消除InAs单晶表面电荷积累层的热处理方法，该方法包括快速退火与空气淬火二个步骤。首先将InAs样品放置于快速退火炉中，接着立即将温度升至退火温度，并保温一段时间，最后迅速将样品从退火炉中取出放置于烧杯中，待样品冷却至室温即可。本发明的优点是：方法简单、有效可行。 |
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