| 专利名称 | 一种雪崩光电探测器及其高频特性提高方法 | 申请号 | CN201310136042.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103268898A | 公开（授权）日 | 2013.08.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 李彬;韩勤;杨晓红 | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种雪崩光电探测器及其高频特性提高方法 至一种雪崩光电探测器及其高频特性提高方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种雪崩光电探测器，其用于探测目标探测光，并包括纵向依次排列的吸收层(3)、第一电荷层(41)、倍增层(5)、第二电荷层(42)和渡越层(6)，其中第一电荷层(41)为N型掺杂，第二电荷层(42)为P型掺杂。吸收层(3)用于吸收目标探测光，将目标探测光的光子转化为光生自由载流子对；第一电荷层(41)用于调控器件内部电场分布；倍增层(5)用于使进入其中的自由载流子引发雪崩效应，产生雪崩载流子对，雪崩载流子对中的空穴经由所述渡越层(6)纵向漂移至所述雪崩光电探测器的一端。本发明能更好地调节雪崩光电探测器的电容和载流子渡越时间，有利于其高频特性的提高。 |
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