| 专利名称 | 一种金属纳米圆环的制备方法 | 申请号 | CN201310144380.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103268910A | 公开（授权）日 | 2013.08.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 孙莉莉;张韵;闫建昌;王军喜;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种金属纳米圆环的制备方法 至一种金属纳米圆环的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种金属纳米圆环的制备方法，包括：步骤1、在光电器件需要形成金属纳米圆环的薄膜表面依次生长介质层和第一金属层；步骤2、通过退火工艺使所述第一金属薄膜形成金属纳米颗粒；步骤3、以金属纳米颗粒为掩模，刻蚀所述介质层形成介质纳米颗粒；步骤4、去除金属纳米颗粒，并在带有所述介质纳米颗粒的器件表面和所述介质纳米颗粒的顶部与侧壁生长至少一层第二金属薄膜，刻蚀所述至少一层第二金属薄膜，仅保留所述介质纳米颗粒侧壁的第二金属薄膜；步骤5、去除所述介质纳米颗粒，最终形成金属纳米圆环。 |
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