| 专利名称 | 一种检测光伏型碲镉汞红外探测器电极质量的方法 | 申请号 | CN201310191038.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103267939A | 公开（授权）日 | 2013.08.28 | 申请（专利权）人 | 上海电力学院;中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 崔昊杨;李志锋;许永鹏;曾俊冬;唐忠;杨俊杰;汤乃云;朱武;陈琳 | 主分类号 | G01R31/26(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R31/26(2006.01)I | 专利有效期 | 一种检测光伏型碲镉汞红外探测器电极质量的方法 至一种检测光伏型碲镉汞红外探测器电极质量的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种检测光伏型碲镉汞红外探测器电极质量的方法，采用超快脉冲激光照射光伏型碲镉汞薄膜探测器，探测器输出信号呈现脉冲形式的光伏响应信号，数字存储示波器采集并储存光伏信号，探测器光伏响应信号为一个峰值时，为欧姆电极；当探测器光伏响应信号存在两个峰值时，判断电极界面存在肖特基接触，第一个光伏峰值由电极界面肖特基接触形成，第二个光伏峰值由pn结形成，分别计算肖特基接触形成和pn结形成的脉冲光伏的峰值，判断电极质量。是一种方便、快速、无损伤的鉴别方法，适合于衡量器件的实际性能，对于研究碲镉汞的界面效应，发展有关碲镉汞界面的理论，以及指导人们探索新型器件都有着十分重要的意义。 |
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