| 专利名称 | 一种三结级联太阳能电池结构及其制备方法 | 申请号 | CN201310153013.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103258906A | 公开（授权）日 | 2013.08.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 李奎龙;董建荣;孙玉润;曾徐路;赵勇明;于淑珍;赵春雨;杨辉 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0725(2012.01)I | 专利有效期 | 一种三结级联太阳能电池结构及其制备方法 至一种三结级联太阳能电池结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及太阳能技术领域，尤其是直三结级联太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长GaAs1-x-yNxBiy底电池层、第一隧道结、BmGa1-mAs1-nBin中间电池层、第二隧道结、AlpGa1-pAs顶电池层及GaAs接触层；再在所述GaAs衬底底部及所述GaAs接触层顶部制作欧姆电极。本发明还提供这种太阳能电池的结构。本发明实现对太阳光谱的分段吸收利用，各个子电池间的电流匹配，个电池层与GaAs晶格匹配，可获得较高的电池效率，是一种潜在的理想的太阳能电池材料。 |
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