| 专利名称 | 低发散角单纵模边发射光子晶体激光器 | 申请号 | CN201310157583.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103259188A | 公开（授权）日 | 2013.08.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 渠红伟;张冶金;张建心;刘磊;马绍栋;石岩;郑婉华 | 主分类号 | H01S5/065(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/065(2006.01)I;H01S5/20(2006.01)I | 专利有效期 | 低发散角单纵模边发射光子晶体激光器 至低发散角单纵模边发射光子晶体激光器 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种低发散角单纵模光子晶体边发射激光器，包括：在衬底上依次生长的N型光子晶体波导、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层，该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构，其上部的一侧为整体结构，另一侧为人工微结构，该人工微结构中包括多个狭槽，一P型欧姆接触层制作在P型上限制层脊型结构上部的上面，一绝缘层制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的侧面，一P型电极制作在P型上限制层脊形结构的一侧、绝缘层的上面，该P型电极同时还制作在P型欧姆接触层的上面，一N型电极制作在衬底的背面。本发明可以降低制作成本；可以对激光器光场进行调控，降低了垂直发散角，改善了单纵模激光器光束质量，降低整形难度，提高光纤耦合的效率。 |
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