| 专利名称 | 受激辐射损耗显微成像系统 | 申请号 | CN201310213071.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103257130A | 公开（授权）日 | 2013.08.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 | 发明（设计）人 | 张运海;张欣;杨皓旻;孔晨晖 | 主分类号 | G01N21/64(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/64(2006.01)I | 专利有效期 | 受激辐射损耗显微成像系统 至受激辐射损耗显微成像系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供的受激辐射损耗显微成像系统包括激发光激光、第一二色镜、荧光激发和成像单元、损耗光激光、矢量光束调制单元及控制单元。荧光激发和成像单元包括：第二二色镜、XY振镜扫描部件、扫描透镜、筒镜、物镜、探测针孔及光电倍增管。本发明提供的受激辐射损耗显微成像系统采用矢量光束调制单元对入射的损耗光激光光束振幅、相位及偏振态进行调制，利用物镜光瞳处的损耗光波振幅、相位和偏振态来形成损耗光焦斑，在多物理量同时作用下，对损耗光焦斑进行细微而复杂的整形，使得生成的损耗光焦斑能够和激发光焦斑分布精确匹配，同时能够在保证一定信噪比的情况下使得损耗光焦斑中央暗区直径最小，使得该受激辐射损耗显微成像系统具有很高的光学分辨率。 |
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