| 专利名称 | 一种α相酞菁氧钛多晶薄膜及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201310152832.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103258959A | 公开（授权）日 | 2013.08.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 胡文平;张宗鹏;江浪 | 主分类号 | H01L51/40(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/40(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I | 专利有效期 | 一种α相酞菁氧钛多晶薄膜及其制备方法与应用 至一种α相酞菁氧钛多晶薄膜及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种α相酞菁氧钛多晶薄膜及其制备方法与应用。该方法包括如下步骤：（1）在二氧化硅基底上制备十八烷基三氯硅烷单分子层得到修饰的基底；（2）将所述修饰的基底进行真空蒸镀，则在所述十八烷基三氯硅烷单分子层上得到酞菁氧钛层；（3）通过物理气相传输法在所述酞菁氧钛层上制备酞菁氧钛薄膜，则在所述基底上即得到所述α相酞菁氧钛多晶薄膜。本发明提供的α相酞菁氧钛多晶薄膜的结晶性好，具有良好的半导体场效应性能，具有很好的空气稳定性。用本发明的α相酞菁氧钛多晶薄膜构筑的场效应晶体管具有良好的性能。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障