| 专利名称 | 一种1300nm～1550nm含铋化物的半导体激光器及其制备方法 | 申请号 | CN201310176408.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103259193A | 公开（授权）日 | 2013.08.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 曾徐路;董建荣;李奎龙;孙玉润;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉 | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | 一种1300nm～1550nm含铋化物的半导体激光器及其制备方法 至一种1300nm～1550nm含铋化物的半导体激光器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种1300nm～1550nm含铋化物的半导体激光器，包括顺次连接的过渡层、下限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层，其有源区采用由GaNAsBi/GaAs材料体系制作的应变量子阱，在P型AlGaAs上波导层和P型AlGaAs或GaInP上限制层间设有P型AlGaAs电子阻挡层，在GaAs衬底和N型AlGaAs或GaInP下限制层间设有N型AlGaAs过渡层。所述半导体激光器外延结构在GaAs衬底上生长，具有比InP基激光器更低的生产成本，有较高的特征温度，能够有效阻止载流子溢出有源区，可以推广到垂直腔面发射激光器等其他类型的激光器。 |
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