| 专利名称 | 曝光电子束正性抗蚀剂的方法 | 申请号 | CN201210037319.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103257523A | 公开（授权）日 | 2013.08.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 周华杰;徐秋霞;牛洁斌 | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F7/039(2006.01)I | 专利有效期 | 曝光电子束正性抗蚀剂的方法 至曝光电子束正性抗蚀剂的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种曝光电子束正性抗蚀剂的方法，包括：清洁衬底表面；脱水烘培；旋涂电子束正性抗蚀剂；前烘工艺，消除电子束正性抗蚀剂的应力；电子束曝光；显影得到纳米级掩膜图形。依照本发明的电子束正性抗蚀剂曝光方法，采用简单可靠的物理方法降低了工艺成本，无需采用增粘剂从而避免了其对人体及环境的破坏和污染，此外还避免了抗蚀剂产生裂纹，因此提高了纳米尺度结构及器件的可靠性。 |
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