| 专利名称 | 铜铟镓硒薄膜光伏电池装置及其制备方法 | 申请号 | CN201110422208.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102522434A | 公开（授权）日 | 2012.06.27 | 申请（专利权）人 | 香港中文大学;中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 尹苓;肖旭东 | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0749(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 铜铟镓硒薄膜光伏电池装置及其制备方法 至铜铟镓硒薄膜光伏电池装置及其制备方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜光伏电池装置及其制备方法。该铜铟镓硒薄膜光伏电池装置包括依次层叠设置的衬底、背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、阻挡层、导电窗口层及栅电极，其中，所述栅电极为p型或n型的石墨烯薄膜。近乎透明的石墨烯薄膜作为CIGS薄膜光伏电池装置的栅电极，最显著的优势是透光，单层石墨烯只吸收2.3％的光，相较之传统使用的Ni/Al栅极完全不透光，该光伏电池装置的有效受光面积增加，短路电流升高，电池效率也升高。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障