| 专利名称 | 一种提高磁体矫顽力的装置和方法 | 申请号 | CN201210007966.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102522193A | 公开（授权）日 | 2012.06.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 李金龙;李洪波;薛群基 | 主分类号 | H01F41/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F41/02(2006.01)I;C23C8/36(2006.01)I | 专利有效期 | 一种提高磁体矫顽力的装置和方法 至一种提高磁体矫顽力的装置和方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种提高磁体矫顽力的装置和方法。具体地，本发明公开了一种提高磁体矫顽力方法，所述方法为在真空室中，对磁体的至少一个主表面进行离子轰击，从而提高磁体的矫顽力。本发明采用不同种类和不同加速电压的离子轰击磁体，不需要在磁体中加入其他合金元素，可在磁体中诱发可长距离传播的非线性点阵激发，引入各种缺陷钉扎磁畴，显著提高磁体矫顽力，而且不会降低磁能积等其他磁性能指标。 |
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