| 专利名称 | 一种场效应晶体硅太阳能电池的制作方法 | 申请号 | CN201110416856.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102522453A | 公开（授权）日 | 2012.06.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 万青;竺立强;张洪亮;吴国栋 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种场效应晶体硅太阳能电池的制作方法 至一种场效应晶体硅太阳能电池的制作方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种场效应晶体硅太阳能电池的制作方法。首先，在清洗制绒后的p型晶体硅片背表面沉积含磷的二氧化硅薄膜，或者，在清洗制绒后的n型晶体硅片背表面沉积含硼的二氧化硅薄膜；然后，制备前、背收集电极，将背部收集电极引出后，在电池的背表面制备二氧化硅薄膜，并在二氧化硅薄膜表面制备场效应电极；最后，在p型晶体硅电池的场效应电极与前栅电极间加载正偏压，或者，在n型晶体硅电池的场效应电极与前栅电极间加载负偏压，完成电池制作。与现有的晶体硅太阳能电池制作方法相比，本发明的方法简单易行，极大地简化了现有的制作工艺，降低了制作成本，具有广阔的应用前景。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障