| 专利名称 | 一种改进SOI结构抗辐照性能的方法 | 申请号 | CN201110418276.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102522362A | 公开（授权）日 | 2012.06.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 吕荫学;毕津顺;罗家俊;韩郑生;叶甜春 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/263(2006.01)I | 专利有效期 | 一种改进SOI结构抗辐照性能的方法 至一种改进SOI结构抗辐照性能的方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 一种改进SOI结构抗辐照性能的方法，该方法包括以下步骤：对所述SOI结构进行质子、中子和γ射线等高能粒子注入，并执行退火操作。本发明通过利用高能粒子注入在埋氧层中引入位移损伤，以此来提高SOI结构抗辐照的性能。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障