| 专利名称 | 一种改善相变材料抛光后表面质量的抛光液 | 申请号 | CN201110411337.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102516878A | 公开（授权）日 | 2012.06.27 | 申请（专利权）人 | 上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王良咏;刘卫丽;宋志棠;刘波;钟旻 | 主分类号 | C09G1/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C09G1/02(2006.01)I;C09K5/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种改善相变材料抛光后表面质量的抛光液 至一种改善相变材料抛光后表面质量的抛光液 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种用于相变存储器的化学机械抛光液，包括抛光颗粒、氧化剂、表面改善剂和水性介质；以所述抛光液总重量为基准计，所述抛光颗粒的含量为0.1-30wt%，所述氧化剂的含量为0.01-10wt%，所述表面改善剂的含量为0.0001-5wt%。通过本发明提供的上述抛光液，对相变存储器件做抛光处理，可显著改善抛光后相变材料表面质量，实现对小于1nm的低表面粗糙度和微缺陷(腐蚀坑、残留、划痕和抛光雾等)的控制。 |
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