| 专利名称 | 一种哑金属填充方法 | 申请号 | CN201110427611.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102521460A | 公开（授权）日 | 2012.06.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 吴玉平;陈岚;叶甜春 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种哑金属填充方法 至一种哑金属填充方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明通过光刻仿真、电路网表提取、电路仿真、电路节点延时极限、光刻畸变情形下等效电学参数计算、极限寄生电容计算、约束条件下的哑金属填充实现了考虑光刻畸变的哑金属填充，在寄生估算和冗余哑金属填充过程中考虑光刻畸变对寄生电阻和寄生电容的影响，确保冗余哑金属填充引起的寄生电阻和寄生电容变化对电路设计性能的影响在预定范围之内，最大化地提高电路各部分金属互连线的平整度，从而提高集成电路设计的可制造性。 |
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