| 专利名称 | 多层材料的减薄装置及减薄待测样品的方法 | 申请号 | CN201110416216.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102520212A | 公开（授权）日 | 2012.06.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 刘争晖;徐耿钊;钟海舰;樊英民;曾雄辉;王建峰;周桃飞;邱永鑫;徐科 | 主分类号 | G01Q30/20(2010.01)I | IPC主分类号 | G01Q30/20(2010.01)I;G01Q60/02(2010.01)I | 专利有效期 | 多层材料的减薄装置及减薄待测样品的方法 至多层材料的减薄装置及减薄待测样品的方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明提供多层材料的减薄装置及减薄待测样品的方法，属于半导体测试领域。装置包括反应腔室、原子力显微镜、电子显微镜和样品台，样品台、原子力显微镜、电子显微镜均位于反应腔内；所述减薄待测样品的方法步骤为：将一样品置于反应腔室内；测量待测样品的第一裸露表面的第一接触电势差V1；移开原子力显微镜的导电探针；刻蚀第一裸露表面一深度X，露出第二表面；测量待测样品的第二裸露表面的第一接触电势差V2；比较V1与V2大小，判断是否继续刻蚀。本发明解决了现有技术无法进行精确解剖的问题，本发明做到精确解剖异质结器件，对半导体器件的制备和性质研究有重要意义。 |
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