| 专利名称 | 改性硅树脂基体的制备方法及其应用 | 申请号 | CN201110402170.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102516774A | 公开（授权）日 | 2012.06.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院过程工程研究所;唐山三友硅业有限责任公司;中国科学院唐山高新技术研究与转化中心 | 发明（设计）人 | 王文忠;张建敏;李允浩;李庆;陈春江;李索海;任海涛;刘秋艳;董春辉;段东平 | 主分类号 | C08L83/07(2006.01)I | IPC主分类号 | C08L83/07(2006.01)I;C08L83/16(2006.01)I;C08K13/06(2006.01)I;C08K9/06(2006.01)I;C08K3/04(2006.01)I;C08K5/14(2006.01)I;C08G77/20(2006.01)I;C08G77/62(2006.01)I;C08J5/04(2006.01)I | 专利有效期 | 改性硅树脂基体的制备方法及其应用 至改性硅树脂基体的制备方法及其应用 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种改性硅树脂基体的制备方法及其应用。改性硅树脂基体的制备方法；烷基氯硅烷和乙烯基氯硅烷两者的混合物或采用烷基氯硅烷、乙烯基氯硅烷或苯基氯硅烷三者的混合物溶于甲苯或二甲苯，在-5~70℃水解，经分液、水解及浓缩后，经稀释、过滤后即得到硅树脂；向硅树脂中加入0.5~5%经疏水处理的气相白炭黑，得到A组分；将浓度为30~40%低聚硅氮烷的甲苯溶液作为B组分；以过氧化物作为C组分；将100质量份的A组分、0.5~5质量份的B组分和0.1~1质量份的C组分混合，得到改性硅树脂基体。改性硅树脂基体，具有固化速度快，材料相容性好、成膜后硬度高的优点；且能够作为耐高温低介电损耗复合材料的树脂基体。 |
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