| 专利名称 | 界面势垒测量装置及测量界面势垒的方法 | 申请号 | CN201110416217.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102520213A | 公开（授权）日 | 2012.06.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 樊英民;钟海舰;徐耿钊;刘争晖;曾雄辉;周桃飞;邱永鑫;王建峰;徐科 | 主分类号 | G01Q60/00(2010.01)I | IPC主分类号 | G01Q60/00(2010.01)I | 专利有效期 | 界面势垒测量装置及测量界面势垒的方法 至界面势垒测量装置及测量界面势垒的方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明提供多层半导体材料界面势垒测量装置及测量多层半导体界面势垒方法，属于半导体测试领域，该半导体装置包括一真空腔、一导电样品台、一扫描探针显微镜、一金属气源产生装置和一聚焦离子束显微镜系统；并且在该方法中，对多层结构的半导体样品，可以利用该半导体装置的聚集离子显微镜系统进行部分表面剥离，再原位沉积电极，然后用扫描探针显微镜进行测量；本发明解决了现有技术中只能测量表层缺陷而无法测量多层异质界面缺陷的问题，本发明采用逐层解剖，逐层测量的方法，极大的提高了工作效率。 |
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