| 专利名称 | 含有斜线型萘二酰亚胺单元的n-型有机半导体材料 | 申请号 | CN201110348462.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102516248A | 公开（授权）日 | 2012.06.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 郑庆东;陈善慈 | 主分类号 | C07D487/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C07D487/04(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I | 专利有效期 | 含有斜线型萘二酰亚胺单元的n-型有机半导体材料 至含有斜线型萘二酰亚胺单元的n-型有机半导体材料 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了含斜线型芳香萘二酰亚胺单元的N-型有机半导体材料，该材料可以用于有机薄膜场效应晶体管。该材料通过改变以往直线型萘二亚胺分子的将羧酸亚胺六元环接在萘环的1，8位和4，5的特点，改为接在萘环上的1，2位和5，6位，形成五元环和斜线型，可改变材料分子的电荷分布和电子能级。该结构有利于在萘环的3，7位引入可聚合基团从而合成含斜线型芳香萘二酰亚胺单元的聚合物。 |
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