| 专利名称 | 铜铟镓硒太阳能电池装置及其制备方法 | 申请号 | CN201110422209.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102522437A | 公开（授权）日 | 2012.06.27 | 申请（专利权）人 | 香港中文大学;中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 尹苓;肖旭东;张康 | 主分类号 | H01L31/032(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/032(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C23C28/00(2006.01)I | 专利有效期 | 铜铟镓硒太阳能电池装置及其制备方法 至铜铟镓硒太阳能电池装置及其制备方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种铜铟镓硒太阳能电池装置，包括依次层叠设置的衬底、背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、阻挡层及导电窗口层，其中，导电窗口层为n型的石墨烯薄膜。石墨烯薄膜作为CIGS太阳能电池装置的导电窗口层，除了比传统导电窗口层ZnO:Al薄膜具有更低方块电阻外，还可以避免ZnO:Al薄膜导致的近红外光波段的损耗，提高电池对光的利用率，进而优化电池性能。此外，本发明还涉及一种铜铟镓硒太阳能电池装置的制备方法。 |
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