| 专利名称 | 一种二硼化镁超导材料的制备方法 | 申请号 | CN201110366943.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102515189A | 公开（授权）日 | 2012.06.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 马衍伟;王成铎;王栋樑;高召顺;张现平;姚超;王春雷 | 主分类号 | C01B35/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B35/04(2006.01)I;C04B35/58(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 一种二硼化镁超导材料的制备方法 至一种二硼化镁超导材料的制备方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 一种二硼化镁超导材料的制备方法，将B粉(纯度为90～99.99wt％)和Mg粉加入密度大于5g/cm3的磨球和球磨罐，在氩气气氛下进行球磨处理。或在B粉、Mg粉中加入如纳米C、纳米SiC、碳氢化合物、碳水化合物掺杂体。还可以将B粉加入密度大于5g/cm3的磨球和球磨罐在氩气气氛下进行预球磨处理，然后将预处理的B粉和Mg粉一起加入密度大于5g/cm3的磨球和球磨罐在氩气气氛下进行球磨处理。球磨时间为1～150h，转速为100～1000r/min，球料比为1∶1～100∶1。将经球磨的粉末压片，得到块材，或将粉末装入金属管中，经过塑性加工得到线材或带材，然后将得到的块材、线材或带材在流动氩气气氛中烧结，最终制得MgB2超导材料。 |
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