| 专利名称 | 二氧化钒智能温控薄膜制备用有机钒源及该薄膜制备方法 | 申请号 | CN201110342511.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102515563A | 公开（授权）日 | 2012.06.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄富强;丁尚军;刘战强;李德增 | 主分类号 | C03C17/23(2006.01)I | IPC主分类号 | C03C17/23(2006.01)I;C04B41/50(2006.01)I;C23C20/08(2006.01)I;C09D1/00(2006.01)I;C01G31/02(2006.01)I | 专利有效期 | 二氧化钒智能温控薄膜制备用有机钒源及该薄膜制备方法 至二氧化钒智能温控薄膜制备用有机钒源及该薄膜制备方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明涉及二氧化钒智能温控薄膜制备用有机钒源及该薄膜制备方法，提供一种适用于通过溶胶-凝胶法制备智能温控二氧化钒薄膜的有机钒源前驱体，其中，以钒酸盐和有机季铵盐为原料，通过沉淀法合成所述有机钒源前驱体。本发明提供的有机钒源前驱体通过简单的沉淀法合成，可降低成本。采用本发明提供的有机钒源前驱体，可适用溶胶凝胶法来制备可热致调光的智能温控二氧化钒薄膜。 |
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