| 专利名称 | 一种中红外发光硫卤玻璃及其制备技术 | 申请号 | CN201110400933.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102515530A | 公开（授权）日 | 2012.06.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 林航;陈大钦;余运龙;杨安平;王元生 | 主分类号 | C03C3/32(2006.01)I | IPC主分类号 | C03C3/32(2006.01)I;C03C4/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种中红外发光硫卤玻璃及其制备技术 至一种中红外发光硫卤玻璃及其制备技术 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种2.7微米中红外发光硫卤玻璃及其制备技术。该玻璃采用熔体急冷法制备，其组分和摩尔百分含量为GeS2：50-70mol％；Ga2S3：15-35mol％；CsCl：5-15mol％；Er2S3：0.1-0.5mol％；Nd2S3：0-0.15mol％(上述各组分含量之和为100mol％)。由于具有出色的红外透过率和良好的热学与机械性能，该类中红外发光材料可望应用于2.7微米中红外激光器。 |
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