| 专利名称 | 绝缘栅型双极晶体管 | 申请号 | CN201320123024.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203134807U | 公开（授权）日 | 2013.08.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明（设计）人 | 张文亮;朱阳军;田晓丽;胡爱斌 | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 专利有效期 | 绝缘栅型双极晶体管 至绝缘栅型双极晶体管 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种绝缘栅型双极晶体管，包括：第一导电类型的漂移区、第一导电类型高浓度掺杂微穿通层、第二导电类型的集电极、第一导电类型的发射极、第二导电类型的基区、第二导电类型低掺杂浓度的浮空区、沟道栅极及假栅极；所述假栅极呈柱状结构或条状结构，且条状结构的宽度小于栅极沟槽的宽度。本实用新型提供的绝缘栅型双极晶体管，通过减小假栅沟槽宽度或改变其形状，来减小假栅沟槽区所占芯片面积，进而减小沟槽区域所占面积与芯片总面积的比例，不仅能减小硅片的翘曲度，还可以有效减小器件的寄生电容，减小器件开关时间及开关损耗。 |
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