| 专利名称 | 一种半导体结构 | 申请号 | CN201190000057.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203134802U | 公开（授权）日 | 2013.08.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构 至一种半导体结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供一种半导体结构。本实用新型通过将调节层置于两层高k介质层之间，有效避免了调节层直接与金属栅极的直接接触发生反应降低半导体器件的性能。 |
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