| 专利名称 | 基于闪存-SRAM流水线的存储电路 | 申请号 | CN201220652404.5 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203133810U | 公开（授权）日 | 2013.08.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 肖喜中;王跃明;郎均慰;陈杨;王晟玮;庄晓琼;鲍智康 | 主分类号 | G06F3/06(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F3/06(2006.01)I | 专利有效期 | 基于闪存-SRAM流水线的存储电路 至基于闪存-SRAM流水线的存储电路 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本专利公开了一种基于闪存-SRAM流水线的存储电路。该电路包括相机模块、FPGA主控模块、SRAM缓存模块和闪存存储模块，电路系统工作时，相机模块产生的数据流经由FPGA主控模块调度，以流水线的方式依次写入闪存存储模块以及SRAM缓存模块中，并不断重复此过程，并不一次性写入SRAM缓存模块内；在相机模块不产生数据流的间歇期内，FPGA主控模块通过时序调度将SRAM缓存模块内的数据转移至闪存存储模块中。借助于SRAM的持续性高速数据吞吐能力，该系统避开了闪存的编程等待过程，既实现了持续性数据缓存，又使得实际缓存容量能达到数倍于系统所采用的SRAM缓存容量。在减小布线密度的同时又降低了成本，也保持了对数据速率的自适应性。 |
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