| 专利名称 | 一种中高压IGBT终端 | 申请号 | CN201320121922.9 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203134805U | 公开（授权）日 | 2013.08.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明（设计）人 | 田晓丽;朱阳军;卢烁今;吴振兴 | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种中高压IGBT终端 至一种中高压IGBT终端 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种中高压IGBT终端，属于大功率半导体器件技术领域。该终端包括主结、场限环、截止保护环、场板和沟槽；主结、场限环、截止保护环均在N-漂移区内，从主结向截止保护环的方向，依次有场限环和沟槽，在主结、场限环和/或截止保护环上有多个不连续的场板，沟槽截断沟槽所在处的IGBT终端的耗尽层。本实用新型结合了传统场限环终端和截断型终端的优点，一方面使耗尽层在远离主结方向延伸，提高了器件的耐压；另一方面使耗尽层向表面靠近，减小了耗尽层纵向的深度，这就为截断型终端提供了方便，它减小了刻蚀沟槽的深度，在工艺上大大降低了难度。 |
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