| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201210022557.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103247624A | 公开（授权）日 | 2013.08.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体结构，包括衬底、栅堆叠、基底区以及源/漏区，其中，所述栅堆叠位于所述基底区之上，所述源/漏区位于所述基底区内，所述基底区位于所述衬底之上；在所述基底区和所述衬底之间存在支撑隔离结构，其中，部分所述支撑隔离结构与所述衬底相连接；在所述基底区和所述衬底之间存在空腔，其中，所述空腔由所述基底区、衬底以及支撑隔离结构构成；在所述栅堆叠、基底区和支撑隔离结构的两侧存在应力材料层。相应地，本发明还提供了一种半导体结构的制造方法。本发明利于抑制短沟道效应，减小寄生电容和漏电流，增强源/漏区的陡直性，以及向沟道提供良好的应力效果。 |
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