| 专利名称 | 增强AlGaN基深紫外探测器响应度的方法 | 申请号 | CN201310194778.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103247709A | 公开（授权）日 | 2013.08.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 黎大兵;孙晓娟;宋航;蒋红;李志明;陈一仁;缪国庆 | 主分类号 | H01L31/103(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/103(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I;H01L31/108(2006.01)I | 专利有效期 | 增强AlGaN基深紫外探测器响应度的方法 至增强AlGaN基深紫外探测器响应度的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种增强AlGaN基深紫外探测器响应度的方法，属于半导体技术领域，解决了现有AlGaN基深紫外探测器响应度低的技术问题。本发明的方法包括以下步骤：(1)生长AlGaN基深紫外探测器材料；(2)在AlGaN基深紫外探测器材料表面制备能够产生表面等离激元共振的金属纳米结构体系，所述的金属纳米结构体系由分散的银纳米颗粒或者分散的铝纳米颗粒组成；(3)制备电极，得到AlGaN基深紫外探测器。本发明的方法增强了AlGaN基深紫外探测器的响应度，且工艺简单、成本低廉、应用广泛。 |
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