| 专利名称 | 一种非易失性存储器及其制备方法 | 申请号 | CN201210026223.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103247629A | 公开（授权）日 | 2013.08.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;许中广;朱晨昕;霍宗亮;谢常青 | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 专利有效期 | 一种非易失性存储器及其制备方法 至一种非易失性存储器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种非易失性存储器及其制备方法，该存储器包括：硅衬底；在该硅衬底上重掺杂的源区和漏区；在该源区和漏区之间载流子沟道上形成的栅介质层；以及在该栅介质层之上形成的栅电极。其中栅介质层由在该硅衬底沟道之上依次形成的隧穿氧化层、电荷存储层和电荷阻挡层构成，且该电荷存储层为金属纳米晶存储层。本发明提供的非易失性存储器及其制备方法，综合了高k材料和核壳型纳米晶的优点，该存储器具有高速低压，优良的保持特性和疲劳特性，可以有效提高器件的性能，具有工艺灵活，设备简单，成本低廉等优点。 |
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