| 专利名称 | 方向可调的均匀磁场和均匀一阶梯度磁场的方法及装置 | 申请号 | CN201310195809.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103245928A | 公开（授权）日 | 2013.08.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王会武;荣亮亮;邱隆清;伍俊;常凯;徐婷;侍文;蒋坤;谢晓明 | 主分类号 | G01R35/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R35/00(2006.01)I | 专利有效期 | 方向可调的均匀磁场和均匀一阶梯度磁场的方法及装置 至方向可调的均匀磁场和均匀一阶梯度磁场的方法及装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种方向可调的均匀磁场和均匀一阶梯度磁场的方法及相应的装置，其特征在于将均匀磁场和梯度磁场发生装置与磁场方向调节装置结合在一起，构成一个方向可调的磁场和梯度磁场产生装置；所述的装置由两部分组成：一部分是均匀磁场和均匀一阶梯度磁场产生装置，在装置中通入电流时，在装置内部产生均匀磁场或均匀一阶梯度磁场，根据具体使用要求，在线圈的不同端子通入同向或反向电流，以满足使用要求；另一部分是调节磁场方向装置，以调节磁场和全张量一阶梯度磁场的方向；将这两部分集成在一起，构成方向可调节的磁场和梯度磁场发生装置。应用于磁传感器标定或多通道复杂结构的SQUID探测模块的标定。 |
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