| 专利名称 | PNP结构的激光光伏电池及其制备方法 | 申请号 | CN201310038717.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103247635A | 公开（授权）日 | 2013.08.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 赵春雨;董建荣;于淑珍;赵勇明;李奎龙;孙玉润;曾徐路;杨辉 | 主分类号 | H01L27/142(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/142(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0693(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | PNP结构的激光光伏电池及其制备方法 至PNP结构的激光光伏电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种PNP结构的激光光伏电池，所述光伏电池包括依次形成于半绝缘衬底上反向P/N结、N型导电层、P/N结电池、P型窗口层和P型接触层，所述反向P/N结包括依次形成于所述半绝缘衬底上的P型层和N型层，所述P/N结电池包括沿远离半绝缘衬底方向依次设置的N型吸收层和P型吸收层。本发明还公开了一种激光光伏电池的制备方法。本发明有效地解决了半绝缘衬底光照下导致的漏电问题，制作的光伏电池具有并联电阻高、漏电小和转换效率高的优点，同时降低了器件对GaAs衬底绝缘性能的要求。 |
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