| 专利名称 | 半导体存储器件及其访问方法 | 申请号 | CN201210031880.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103247331A | 公开（授权）日 | 2013.08.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 骆志炯;朱正勇;尹海洲;朱慧珑 | 主分类号 | G11C11/404(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/404(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体存储器件及其访问方法 至半导体存储器件及其访问方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体存储器件及其访问方法，包括存储晶体管、第一控制晶体管、第二控制晶体管，其中，第一控制晶体管的源极和栅极分别与第一位线和第一字线相连接，第二控制晶体管的漏极和栅极分别与第二字线和第二位线相连接，存储晶体管的栅极与第一控制晶体管的漏极相连接，存储晶体管的漏极与第二控制晶体管的源极相连接，存储晶体管的源极与地相连接，并且，存储晶体管具有栅控记忆特性。该半导体存储器件提高了集成度并减少了刷新操作的频率。 |
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