| 专利名称 | 一种基于双量子阱谐振隧穿型的npn三极管及其应用 | 申请号 | CN201310127529.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103247673A | 公开（授权）日 | 2013.08.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 张晔 | 主分类号 | H01L29/73(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/73(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于双量子阱谐振隧穿型的npn三极管及其应用 至一种基于双量子阱谐振隧穿型的npn三极管及其应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于双量子阱谐振隧穿型的npn三极管及其应用，发射极与基极之间是双量子阱型的。本发明用于高灵敏度的THz(远红外线又称亚毫米波)传感器，如果与时序控制深度的多个量子阱和CMOS(0&1)器件组合可以得到空间耦合电荷CCD亚毫米波照相机等有广阔的应用。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障