| 专利名称 | 一种提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法及装置 | 申请号 | CN201210024730.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103245424A | 公开（授权）日 | 2013.08.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 尤立星;陈思井;王永良;刘登宽;谢晓明;江绵恒 | 主分类号 | G01J11/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01J11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法及装置 至一种提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法及装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法及装置，所述SNSPD系统包括SNSPD器件和偏置树；所述偏置树具有DC端口、DC&RF端口、RF端口；所述偏置树的DC&RF端口与SNSPD器件的一端相连，SNSPD器件的另一端接地；所述提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法为：在所述DC端口与SNSPD器件的接地端之间连接一电阻。本发明操作简单，不改变器件结构，不需要增加滤波电路或屏蔽，仅需并联适当阻值的电阻就能提高系统抗电干扰能力，成本低；不改变探测电脉冲信号的形状、幅度与宽度；不会形成反射脉冲从而影响器件性能；不影响探测系统的暗计数率及量子效率。 |
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