基于导波共振的传感器及其制备方法

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专利名称 基于导波共振的传感器及其制备方法 申请号 CN201210026090.2 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN103245635A 公开(授权)日 2013.08.14 申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 史丽娜;杜宇禅;谢常青;牛洁斌;李海亮;李冬梅;刘明 主分类号 G01N21/41(2006.01)I IPC主分类号 G01N21/41(2006.01)I 专利有效期 基于导波共振的传感器及其制备方法 至基于导波共振的传感器及其制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种基于导波共振的传感器及其制备方法。该传感器包括:衬底;形成于该衬底上的自支撑薄膜结构;以及形成于该自支撑薄膜结构中的球形空气孔阵列,用于承载待测样品,利用该球形空气孔阵列中的导波共振来探测该待测样品的折射率变化。本发明传感器采用周期纳米结构,体积小,易于携带。

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